Ingyenes szállítás a Packetával, 19 990 Ft feletti vásárlás esetén
Posta 1 795 Ft DPD 1 995 Ft PostaPont / Csomagautomata 1 690 Ft Postán 1 690 Ft GLS futár 1 590 Ft Packeta 990 Ft GLS pont 1 390 Ft

Rare Earth Point Defects in Gan

Nyelv AngolAngol
Könyv Puha kötésű
Könyv Rare Earth Point Defects in Gan Simone Sanna
Libristo kód: 07084785
In the last decade there has been considerable research activity in doping wide band gap semiconduct... Teljes leírás
? points 271 b
43 628 Ft
Beszállítói készleten Küldés 15-20 napon belül

30 nap a termék visszaküldésére


Ezt is ajánljuk


Dracula (1931), 1 Blu-ray Milton Carruth / Blu-ray
common.buy 6 756 Ft
Ethical Issues in Literacy Research / Kemény kötésű
common.buy 85 442 Ft
Alton Locke, Tailor and Poet Charles Kingsley / Puha kötésű
common.buy 11 906 Ft
Out of the Sun Jerry R Stilley / Puha kötésű
common.buy 5 907 Ft
Human Malignancies D. Drahovsky / Puha kötésű
common.buy 48 890 Ft
Life M. Kronegger / Puha kötésű
common.buy 87 435 Ft
What the Fortune Teller Didn T Lim / Kemény kötésű
common.buy 3 991 Ft
Globalization, Technological Change, and Employment Danupon Ariyasajjakorn / Puha kötésű
common.buy 35 296 Ft
Japan and China Kazuo John Fukuda / Kemény kötésű
common.buy 79 567 Ft
Endothelial Cells in Health and Disease / Kemény kötésű
common.buy 103 075 Ft
Sex and the Revitalized City Leslie Kern / Puha kötésű
common.buy 17 457 Ft
Circuit Design for CMOS VLSI John P. Uyemura / Puha kötésű
common.buy 24 806 Ft
European Union Bill Vol. 7 Donald Turner / Puha kötésű
common.buy 22 123 Ft

In the last decade there has been considerable research activity in doping wide band gap semiconductors with rare earth ions (RE). Eu, Er, and Tm doping leads to the emission of visible light in narrow bands in the red, green, and blue, respectively. This allows for the realization of high brightness light emitters with outstanding durability and long lifetime. Nevertheless, the knowledge of the mechanisms underlying the RE active ion luminescence is required for the realization of efficient devices. The rare earth incorporation, i.e. the RE lattice location, the position of the energy levels of the RE with respect to the host valence and conduction bands, as well as a detailed investigation of the involved energetic relationships have to be determined and understood. Here we review the results of state of the art first-principles investigations on Eu, Er and Tm doping in GaN. The results of the simulations, including lattice location, defect symmetry, and electronic configuration of the RE are presented and compared with experimental results.

Információ a könyvről

Teljes megnevezés Rare Earth Point Defects in Gan
Szerző Simone Sanna
Nyelv Angol
Kötés Könyv - Puha kötésű
Kiadás éve 2010
Oldalszám 276
EAN 9783838121949
ISBN 3838121945
Libristo kód 07084785
Súly 408
Méretek 152 x 229 x 16
Ajándékozza oda ezt a könyvet még ma
Nagyon egyszerű
1 Tegye a kosárba könyvet, és válassza ki a kiszállítás ajándékként opciót 2 Rögtön küldjük Önnek az utalványt 3 A könyv megérkezik a megajándékozott címére

Belépés

Bejelentkezés a saját fiókba. Még nincs Libristo fiókja? Hozza létre most!

 
kötelező
kötelező

Nincs fiókja? Szerezze meg a Libristo fiók kedvezményeit!

A Libristo fióknak köszönhetően mindent a felügyelete alatt tarthat.

Libristo fiók létrehozása