Poluchenie plenok oxida cinka s ispol'zovaniem slabyh osnovanij

Tonkoplenochnye pokrytiya iz oxidov metallov yavlyajutsya gruppoj naibolee vostrebovannyh materialov v sovremennoj mikro- i nanojelektronike. Sredi nih oxid cinka yavlyaetsya odnim iz samyh perspektivnyh i mnogofunkcional'nyh produktov, primenyaemym dlya naneseniya prozrachnyh tokoprovodyashhih kontaktov, izgotovleniya gazovyh sensorov i p'ezopreobrazovatelej. Naibolee prostym i perspektivnym metodom polucheniya plenok oxida cinka yavlyaetsya himicheskoe osazhdenie iz rastvorov, dajushhee vozmozhnost' gibkogo upravleniya sostavom reakcionnoj smesi v hode sinteza i polucheniya pokrytij s trebuemym naborom svojstv. Opredelenie vzaimosvyazi mezhdu usloviyami gomogennogo himicheskogo osazhdeniya iz vodnyh rastvorov i strukturoj plenok oxida cinka yavlyaetsya vazhnym napravleniem v issledovanii himii tonkoplenochnyh poluprovodnikovyh materialov. Cel'ju dannoj raboty yavlyaetsya ustanovlenie fiziko-himicheskih zakonomernostej gomogennogo osazhdeniya plenok i osadkov na osnove oxida cinka, a takzhe izuchenie vliyaniya ispol'zuemyh osaditelej na strukturu i svojstva poluchennyh produktov.