Kapcsolat
Hogyan vásároljunk
Kézbesítés
Vásárlási tanácsadó
Defects and Diffusion in Silicon Processing: Volume 469
Angol
64 b
Hamarosan
Megjelenés ismeretlen
Akár 30 napos visszaküldési lehetőség
A vásárlók ilyet vásároltak
A strong effort is has been devoted to the investigation of defects and diffusion phenomena in silicon. This effort is not only driven by the stringent technological requirements for the processing of integrated circuits of increased complexity and miniaturization, but also by the lack of fundamental understanding of many of the critical parameters and mechanisms involved. Experimental and theoretical investigations are needed to identify the properties of the defects, the mechanisms of impurity diffusion and the strength of impurity-defect, defect-defect, and impurity-impurity interactions. This book provides a unique and interdisciplinary forum for the discussion of experimental, theoretical and applied aspects of defects and diffusion phenomena in silicon. Topics include: defect properties and diffusion phenomena in silicon; experimental and theoretical assessments of defect properties; transient-enhanced diffusion and dopant clustering; damage evolution and extended defects and gettering procedures.
Információ a könyvről
Angol
Ajándékozza oda ezt a könyvet még ma
Nagyon egyszerű
1 Tegye a kosárba könyvet, és válassza ki a kiszállítás ajándékként opciót 2 Rögtön küldjük Önnek az utalványt 3 A könyv megérkezik a megajándékozott címéreEzt is ajánljuk
/
Puha kötésű
7 417
Ft
/
Puha kötésű
8 076
Ft
/
Puha kötésű
4 819
Ft
Szia! Libroamiko vagyok, a könyvtanácsadód.
Miben segíthetek?