Ätzen von Titannitrid mit Halogenverbindungen

Mit zunehmender Miniaturisierung mikroelektronischer Bauelemente steigen die Anforderungen an reproduzierbare qualititätskonforme Schichten. Um die zur herstellung notwendigen ALD/PVD/CVD-Schichtabscheideanlagen in einen zuverlässigen Zustand zu versetzen, ist eine regelmäßige Kammerreinigung notwendig.Im vorliegenden Buch wird am Beispiel der Remote Plasma Source (RPS)-Kammerreinigung von TiN-Abscheideanlagen ein systematischer Ansatz zur Untersuchung der relevanten Parameter vorgestellt. Mit den Meßmethoden QMS, FTIR, OES, XPS, Interferometrie werden die Besonderheiten von Fluor/Chlor-Interhalogenmischungen gezeigt und die zugrunde liegenden Mechanismen beschrieben. Eine effektive Methode zur TiN-Kammerreinigung bei niedrigen Temperaturen und niedrigen Drücken wird vorgeschlagen.Erstmalig wurde die Verwendung von molekularem Fluor mit RPS-Plasma als Kammerreinigungsgas untersucht und die Ätz-Effektivität mit der des NF3 verglichen. Die Anwendung von Fluor in Trägergas für Reinigungsprozesse in der Mikroelektronik oder Photovoltaik stellt sich vorteilhaft dar.