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El presente trabajo tiene como objetivo el estudio de las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas de las películas de óxido de silicio rico en silicio (SRO), para su posible aplicación a dispositivos optoelectrónicos, y de esta forma contribuir con nuevos conocimientos de las propiedades de las películas de SRO. Las películas de SRO con diferentes excesos de silicio se depositaron mediante LPCVD (Deposito Químico en Fase Vapor a Baja Presión), posteriormente algunas muestras fueron tratadas térmicamente a diferentes tiempos y temperatura. En estas películas se analizaron las propiedades estructurales y ópticas, en función de los diferentes excesos de silicio y tiempos de tratamiento térmico. Además, se investigaron las propiedades eléctricas y fotoeléctricas de la estructura Al/SRO/Si. Los resultados muestran que el SRO por sí mismo responde a la excitación lumínica lo que abre la posibilidad a continuar investigando nuevos dispositivos fotoeléctricos. Por otro lado, el doble comportamiento de la estructura Al/SRO/Si como unión PN y como capacitor nos permite obtener de forma novedosa la concentración y el tiempo de generación de substratos de silicio de alta resistividad.
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